Samsung đã tiết lộ kế hoạch kinh doanh chất bán dẫn của mình tại một hội nghị ở Hoa Kỳ. Ông đưa ra lộ trình cho thấy sự chuyển đổi dần dần sang công nghệ 7nm LPP (Low Power Plus), 5nm LPE (Low Power Early), 4nm LPE/LPP và công nghệ Gate-All-Around Early/Plus 3nm.
Gã khổng lồ Hàn Quốc sẽ bắt đầu sản xuất công nghệ LPP 7nm, sử dụng kỹ thuật in thạch bản EUV, vào nửa cuối năm sau, trong khi đối thủ TSMC muốn bắt đầu sản xuất với quy trình 7nm+ cải tiến và bắt đầu sản xuất rủi ro với quy trình 5nm. .
Samsung sẽ bắt đầu sản xuất chipset với quy trình LPE 5nm vào cuối năm 2019 và quy trình LPE/LPP 4nm trong năm 2020. Đây là công nghệ 4nm sẽ trở thành công nghệ cuối cùng sử dụng bóng bán dẫn FinFET. Cả tiến trình 5nm và 4nm đều được kỳ vọng sẽ giảm kích thước chipset nhưng đồng thời tăng hiệu suất và giảm mức tiêu thụ.
Bắt đầu với công nghệ 3nm, công ty sẽ chuyển sang kiến trúc MBCFET (Multi Bridge Channel FET) GAA (Gate All Around) của riêng mình. Nếu mọi thứ diễn ra theo đúng kế hoạch, chipset sẽ được sản xuất vào năm 3 bằng quy trình 2022nm.
