Samsung mới bắt đầu sản xuất hàng loạt bộ xử lý sử dụng quy trình FinFET 14nm gần đây, nhưng họ đã chuẩn bị cho tương lai và bắt đầu thử nghiệm công nghệ 10nm, và như chính họ đã nói, ngay cả công nghệ 5nm cũng không phải là vấn đề lớn cho nó. Công ty đã tiết lộ những sự thật thú vị này tại hội nghị ISSCC 2015, nơi họ giới thiệu các nguyên mẫu của bộ xử lý được chế tạo bằng công nghệ 10nm mà họ sẽ sử dụng trong vài năm tới. Đồng thời, Kinam Kim xác nhận rằng Samsung sẽ sản xuất bộ vi xử lý trong tương lai bằng cách sử dụng quy trình gần giống với Định luật Moore.
Nhưng có vẻ như không có gì ngăn cản Samsung vượt quá giới hạn do Gordon Moore đặt ra và tạo ra những con chip thậm chí còn nhỏ hơn và tiết kiệm hơn. Công ty đã gợi ý rằng họ có thể bắt đầu sản xuất bộ xử lý sử dụng quy trình sản xuất 3,25nm trong tương lai. Nhưng câu hỏi vẫn là nó sẽ sử dụng vật liệu gì, vì Intel đã thông báo rằng không thể sử dụng silicon dưới giới hạn 7nm nữa. Đó là lý do tại sao anh dự định sản xuất chip với sự trợ giúp của Indium-Gallium-Arsenide, được biết đến nhiều hơn với tên viết tắt InGaAs. Tuy nhiên, nó vẫn có thể sử dụng silicon với tiến trình FinFET 14 nm hiện tại. Loại thứ hai một mặt được sử dụng trong sản xuất chip trước Galaxy S6 và cũng sẽ sử dụng nó để sản xuất chip trước iPhone 6s và Qualcomm. Anh dự định sử dụng các bộ xử lý được sản xuất bằng quy trình 10 nm trong các sản phẩm IoT do mức tiêu thụ chip thấp hơn. Tuy nhiên, những thiết bị này sẽ xuất hiện vào thời điểm chuyển giao năm 2016 và 2017.
var sklikData = { elm: "sklikReklama_47926", ZoneId: 47926, w: 600, h: 190 };
var sklikData = { elm: "sklikReklama_47925", ZoneId: 47925, w: 600, h: 190 };
*Nguồn: Nikkeibp.co.jp; ZDNet
