Những ngày này, Samsung đang chuẩn bị bắt đầu sản xuất bộ nhớ Flash UFS 2.0 NAND cực nhanh mà hãng dự định sử dụng trên chiếc smartphone cao cấp tương lai của mình, Samsung. Galaxy S6. Cho đến nay, công nghệ bộ nhớ eMMC NAND Flash đã được sử dụng, có thể đạt tốc độ truyền 400 MB/s. Tuy nhiên, nhờ công nghệ UFS thế hệ thứ hai mới, bộ nhớ sẽ có trong điện thoại Galaxy S6 có khả năng đạt tốc độ truyền lên tới 1.2 GB/s, tức là tốc độ cao gấp ba lần.
Tất nhiên, điều này sẽ được phản ánh trong việc truyền các tệp lớn, chẳng hạn như truyền video 4K bằng kết nối LTE-A. Ngoài ra, so với eMMC 5.0, công nghệ này giúp giảm mức tiêu thụ tới 50%, điều này có tác động tích cực đến thời lượng pin của điện thoại mới. Samsung cũng có kế hoạch sử dụng công nghệ này trong thẻ SD và microSD của mình và dường như đang nỗ lực nghiên cứu nó. Đối thủ chính của Samsung tại Trung Quốc là Xiaomi cũng có kế hoạch sử dụng bộ nhớ UFS Flash và có vẻ như Toshima, Hynix và Micron cũng sẽ tỏ ra quan tâm đến nó. Ngoài ra, nhờ công nghệ UFS, Samsung sẽ buộc phải sử dụng cổng microUSB 3.0 nếu muốn sử dụng tốc độ truyền khi truyền file từ máy tính sang điện thoại di động và ngược lại.
var sklikData = { elm: "sklikReklama_47926", ZoneId: 47926, w: 600, h: 190 };
var sklikData = { elm: "sklikReklama_47925", ZoneId: 47925, w: 600, h: 190 };
*Nguồn: ETNews
